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J-GLOBAL ID：200902017370679462   整理番号：81A0049111

高周波変調にもとづくAlGaAs半導体レーザーからの超短光パルス発生

著者 (4件)： 伊藤弘昌 (東北大電通研) ,  村田茂 (東北大電通研) ,  横山弘之 (東北大電通研) ,  稲葉文男 (東北大電通研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 50  号： 1  ページ： 18-28  発行年： 1981年01月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記レーザのしきい値以下の直流バイアスに深い高周波変調を重畳...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (18件)：

• 1) 末田正:電子通信学会誌 62 (1979) 1404.
• 2) D. Gloge and T. P. Lee: IEEE J. Quantum Electron. QE-7 (1971) 43.
• 3) T. Tsukada and C. L. Tang: IEEE J. Quantum Electron. QE-13 (1977) 37.
• 4) 玄永康一,研藤弘昌,稲場文男:電子通信学会技術研究報管 0QR 78-53 (1979); H. Ito, K. Genei, and H. Inaba: Electron. Lett. 16 (1980) 846.
• 5) H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata and H. Inaba: Electron. Lett. 15 (1979) 738.

タイトルに関連する用語 (4件)： 周波変調 ,  AlGaAs ,  半導体レーザー ,  光パルス発生