量子井戸構造のバンドギャップ付近の光学吸収の電場依存性

MILLER D A B; CHEMLA D S; DAMEN T C; GOSSARD A C; WIEGMANN W; WOOD T H; BURRUS C A

文献

J-GLOBAL ID：200902017427300058 整理番号：86A0040733

量子井戸構造のバンドギャップ付近の光学吸収の電場依存性

Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures.

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資料名：
巻： 32 号： 2 ページ： 1043-1060 発行年： 1985年07月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs-AlGaAs多層構造のバンドギャップ付近の光学吸収...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 半導体の可視・紫外スペクトル , 励起子

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