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J-GLOBAL ID：200902017817603370   整理番号：87A0051374

格子定数が大きく異なる基板上へのヘテロエピタキシー HM²のメカニズムをめぐって

Highly lattice mismatched heteroepitaxy. (HM²) and its growth mechanism.

著者 (1件)： 西永たたう (東大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 55  号： 11  ページ： 1069-1073  発行年： 1986年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 最近,標記の技術が注目を集めている。本報では,成長の第一段階...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (23件)：

• 1) 第8回化合〓半導体ワークショップ (1986. 2. 下田)における,林厳雄(光共研),古川静二郎(東工大),竹田美和(京大)の諸氏と筆者らの自由討論の場で生まれた言葉.
• 2) J. W. Matthews, A. E. Blakeslee and S. Mader: Thin Solid Films 33 (1976) 253.
• 3) R. Fischer, T. Henderson, J. Klem, W. T. Masselink, W. Kopp and H. Morkoc: Electron. Lett. 20 (1984) 945.
• 4) T. Soga, S. Sakai, M. Umeno and S. Hattori: J. Appl. Phys. 57 (1985) 4578.
• 5) T. Soga, S. Sakai, M. Takeyasu, M. Umeno, and S. Hattori: Gallium Arsenide and Related Compounds, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 79, (1986) p. 133.

タイトルに関連する用語 (3件)： 格子定数 ,  ヘテロエピタキシー ,  メカニズム