サスペンドメッシュを有するイオン選択性電界効果トランジスタ

BLACKBURN G; JANATA J

文献

J-GLOBAL ID：200902017967474411 整理番号：83A0280371

サスペンドメッシュを有するイオン選択性電界効果トランジスタ

The suspended mesh ion selective field effect transistor.

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巻： 129 号： 11 ページ： 2580-2584 発行年： 1982年11月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記ISFET利用における基本的問題は素子へのイオン感受性膜...

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その他の固体デバイス , 固体デバイス製造技術一般 , 電気化学一般 , その他の半導体を含む系の接触【’81~’92】

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