SiO<sub>2</sub>の低圧CVDでの気相組成

TOBIN P J; PRICE J B; CAMPBELL L M

文献

J-GLOBAL ID：200902018374797237 整理番号：81A0025414

SiO₂の低圧CVDでの気相組成

Gas phase composition in the low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=81A0025414&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=81A0025414&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 127 号： 10 ページ： 2222-2227 発行年： 1980年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

360°Cでのシランと酸素からのSiO<sub>2</sub...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=81A0025414&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

酸化物薄膜 , 無触媒気相反応

, , , ,

前のページに戻る

SiO2の低圧CVDでの気相組成

SiO₂の低圧CVDでの気相組成