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J-GLOBAL ID：200902018517283256   整理番号：86A0287501

バブルランアウト法を用いたチャージドウォールの評価

Charged wall behavior observed by bubble run-out method.
著者 (1件)：
浦井治雄

浦井治雄 について

(日本電気マイクロエレクトロニクス研)

日本電気マイクロエレクトロニクス研 について


資料名：
日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)

日本応用磁気学会誌 について


巻： 10  号： 2  ページ： 121-124  発行年： 1986年03月 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 0285-0192  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
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このバブルランアウト法によるポテンシャルウェル測定法の特徴と...
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イオン注入

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磁気バブルメモリ

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分類 (1件)：
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磁気バブルデバイス 
(NC03140P)

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引用文献 (8件)：
  • 1) G. S. Almasi and Y. S. Lin: IEEE Trans. Magn. MAG-12(No. 3), 160 (1976).
  • 2) H. Urai: IEEE Trans. Magn., MAG-21(No. 6), 2676 (1985).
  • 3) A. H. Bobeck and H. E. D. Scovil: Scientific American, 224, 78 (1971).
  • 4) 浦井治雄:日本応用磁気学会誌,9 (2), 173 (1985).
  • 5) H. Makino et al.: 第5回日本応用磁気学会学術講演概要集, 21PC-3, p. 133 (1981).
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