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J-GLOBAL ID：200902018832372402   整理番号：90A0175253

CuJnS2の欠陥構造 その1 真性欠陥

The defect structure of CuInS2. PartI. Intrinsic defects.
著者 (2件)：
UENG H Y

UENG H Y について

(National Sun Yen-sen Univ., Kaohsiung, TWN)

National Sun Yen-sen Univ., Kaohsiung, TWN について

, 
HWANG H L

HWANG H L について

(National Tsing Hua Univ., Hsin-chu, TWN)

National Tsing Hua Univ., Hsin-chu, TWN について


資料名：
Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)

Journal of Physics and Chemistry of Solids について


巻： 50  号： 12  ページ： 1297-1305  発行年： 1989年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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電気的測定,光ルミネセンス測定,化学量論的分析によって,欠陥...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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硫化物

硫化物 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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欠陥構造

欠陥構造 について

, 
真性欠陥

真性欠陥 について


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