文献

J-GLOBAL ID：200902018952336760   整理番号：86A0060670

半導体酸化・拡散装置におけるウエハ温度過渡解析モデル

Transient model of wafer temperature in a furnace for semiconductor fabrication processes.

著者 (4件)： もく屋きん司 (日立システム開研) ,  松葉育雄 (日立システム開研) ,  松本邦顕 (日立システム開研) ,  吉中明 (日立武蔵工場)
資料名： 電子通信学会論文誌 C  (Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. C)
巻： 68  号： 6  ページ： 425-432  発行年： 1985年06月 
JST資料番号： S0623A  ISSN： 0373-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体製造プロセスの酸化・拡散工程において,反応管へのウエハ...

シソーラス用語： 超小形回路技術 ,...
準シソーラス用語： 差

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0060670&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0623A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化 ,  拡散 ,  ウエハ ,  解析モデル