けい素ウエハ研摩後の残留表面ひずみのX線による特性化

文献

J-GLOBAL ID：200902019034854887 整理番号：90A0741345

X-ray characterisation of residual surface strains after polishing of silicon wafers.

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資料名：
巻： 33 ページ： 55-60 発行年： 1990年
JST資料番号： H0119C 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

多数の各種条件下,種々のコロイド状シリカを使って研摩した一連...

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X線回折法 , 非金属元素とその化合物の結晶構造

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