文献

J-GLOBAL ID：200902020022704918   整理番号：91A0659798

SiCエピタキシャル膜の構造評価への酸化の応用

Application of oxidation to the structural characterization of SiC epitaxial films.

著者 (9件)： POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  PETIT J B (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  EDGAR J H (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  JENKINS I G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  CHOYKE W J (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YOGANATHAN M (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YANG J W (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  PIROUZ P (Case Western Reserve Univ., Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 59  号： 2  ページ： 183-185  発行年： 1991年07月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3C-SiCと6H-SiC単結晶膜をほぼ(0001)の6H-...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0659798&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  エピタキシャル膜 ,  構造評価 ,  酸化 ,  応用