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J-GLOBAL ID：200902020610357264   整理番号：89A0586670

ダイヤモンド薄膜とシリコンカーバイド薄膜 広帯域ギャップ半導体素材としての現状と展望

Diamond and silicon carbide thin films: Present status and potential as wide band gap semiconducting materials.

著者 (1件)： DAVIS R F (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： International Journal of Materials & Product Technology  (International Journal of Materials & Product Technology)
巻： 4  号： 2  ページ： 81-103  発行年： 1989年 
JST資料番号： T0305A  ISSN： 0268-1900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1気圧以下の圧力およびT<1273Kの温度においてダイヤモン...

シソーラス用語： ダイヤモンド ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： ダイヤモンド薄膜 ,  シリコンカーバイド ,  薄膜 ,  広帯域 ,  ギャップ ,  素材 ,  現状 ,  展望