PtSi/Si Schottkyダイオードにおける伝導機構

WITTMER M

文献

J-GLOBAL ID：200902020758284720 整理番号：91A0310954

PtSi/Si Schottkyダイオードにおける伝導機構

Conduction mechanism in PtSi/Si Schottky diodes.

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資料名：
巻： 43 号： 5 ページ： 4385-4395 発行年： 1991年02月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

80~300Kの温度範囲で,PtSi/Si Schottky...

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半導体-金属接触【’81~’92】

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