仮像的にひずませた半導体中の転位-転位相互作用の役割 I 理論

STIFFLER S R; STANIS C L; GOORSKY M S; CHAN K K

文献

J-GLOBAL ID：200902021815932128 整理番号：92A0499956

仮像的にひずませた半導体中の転位-転位相互作用の役割 I 理論

The role of dislocation-dislocation interactions in the relaxation of pseudomorphically strained semiconductors. I. Theory.

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巻： 71 号： 10 ページ： 4814-4819 発行年： 1992年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体薄膜に二軸応力を加えたときの緩和の仕方に及ぼす転位相互...

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半導体の格子欠陥

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