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J-GLOBAL ID：200902021990709938   整理番号：87A0291060

イオン注入したSiおよびGaAsの光音響法による光学的および熱的特性評価

Photoacoustic optical and thermal characterization of Si and GaAs ion implanted layers.

著者 (4件)： ZAMMIT U ,  MARINELLI M ,  SCUDIERI F ,  MARTELLUCCI S
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 50  号： 13  ページ： 830-832  発行年： 1987年03月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非破壊的光音響法を利用して標記試料の熱伝導率と光吸収係数を同...

シソーラス用語： イオン注入 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の光学的効果  (BM08040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  Si ,  GaAs ,  光音響法 ,  光学 ,  熱的特性評価