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J-GLOBAL ID：200902022181035116   整理番号：92A0773661

高電圧パルス放電化学気相成長法によるアモルファスシリコン系薄膜の作製

Deposition of a-SiH based film by high voltage pulse discharge CVD.

著者 (3件)： 市川幸美 (富士電機総研) ,  吉田隆 (富士電機総研) ,  酒井博 (富士電機総研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 61  号： 10  ページ： 1039-1043  発行年： 1992年10月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高電圧パルス放電を用いたプラズマCVD法は従来のグロー放電を...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (13件)：

• KANICKI, J. Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices. 1991
• ICHIKAWA, Y. J. Appl. Phys. 1990, 67, 108
• MATSUDA, A. J. Appl. Phys. 1986, 60, 4025
• HAMASAKI, T. J. Non-Cryst. Solids. 1983, 59&60, 679
• EBIHARA, K. J. Appl. Phys. 1985, 57, 2482

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧パルス ,  放電 ,  化学気相成長法 ,  アモルファスシリコン ,  薄膜 ,  作製