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J-GLOBAL ID：200902022207335849   整理番号：88A0479517

レーザ融解後のSiの過冷却と結晶核形成

Supercooling and nucleation of silicon after laser melting.

著者 (3件)： STIFFLER S R (Cornell Univ., NY, USA) ,  THOMPSON M O (Cornell Univ., NY, USA) ,  PEERCY P S (Sandia National Lab., NM, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 60  号： 24  ページ： 2519-2522  発行年： 1988年06月13日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高速核形成速度(≒10²⁹事象/m<...

シソーラス用語： レーザ照射 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザ融解 ,  Si ,  過冷却 ,  結晶核形成