文献

J-GLOBAL ID：200902022794056175   整理番号：92A0191571

シリコンIC製作のための重金属汚染の非接触マッピング

Non-contact mapping of heavy metal contamination for silicon IC fabrication.

著者 (4件)： LAGOWSKI J ,  EDELMAN P ,  DEXTER M ,  HENLEY W
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 7  号： 1A  ページ： A185-A192  発行年： 1992年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近精密化され計算機制御された表面光起電力法の原理とその応用...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  IC ,  製作 ,  重金属汚染 ,  非接触マッピング