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J-GLOBAL ID：200902022913905747   整理番号：81A0101341

活性化反応性蒸着により作製したIn₂O₃:Sn膜の電気的および光学的性質

Electrical and optical properties of In₂O₃:Sn films prepared by activated reactive evaporation.

著者 (4件)： NATH P (Univ. California) ,  BUNSHAH R F (Univ. California) ,  BASOL B M (Univ. California) ,  STAFFSUD O M (Univ. California)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 72  号： 3  ページ： 463-468  発行年： 1980年10月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 25~400°Cのガラスまたは石英基板に,1×10<sup>...

シソーラス用語： 酸化インジウム ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 活性化反応性蒸着 ,  作製 ,  Sn ,  光学的性質