文献

J-GLOBAL ID：200902024518440614   整理番号：89A0454168

SIMOX技術の素子分離への応用

Application of SIMOX technology to device isolation.

著者 (1件)： 泉勝俊 (NTT LSI研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 58  号： 8  ページ： 1202-1211  発行年： 1989年08月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SIMOXとは,Siへの酸素イオン注入によって埋め込みSiO...

シソーラス用語： SOI構造 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

引用文献 (32件)：

• 1) Y. Nishi and H. Hara: Proc. 9th Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1977, Jpn. J. Appl. Phys. 17 (1978) Suppl. 17-1, p. 27.
• 2) K. Izumi, M. Doken and H. Ariyoshi: Electron. Lett. 14 (1978) 593.
• 3) 古川静二郎;テレビジョン学会誌 36 (1982) 1060.
• 4) 古川静二郎:第30回応用物理学関係連合講演会予稿集 (1983) p. 668.
• 5) 古川静二郎:応用物理 53 (1984) 27.

タイトルに関連する用語 (3件)： SIMOX ,  素子分離 ,  応用