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J-GLOBAL ID：200902024545574320   整理番号：87A0281950

GaAs上にヘテロエピタクシーで成長したInAs層の格子緩和

Lattice relaxation of InAs heteroepitaxy on GaAs.

著者 (4件)： MUNEKATA H (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  CHANG L L (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  WORONICK S C (State Univ. New York at Stony Brook, NY, USA) ,  KAO Y H (State Univ. New York at Stony Brook, NY, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 81  号： 1/4  ページ： 237-242  発行年： 1987年02月02日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いろいろな配向をとったGaAs上に,分子ビームエピタクシーで...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  ヘテロエピタクシー ,  成長 ,  InAs ,  格子緩和