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J-GLOBAL ID:200902024545574320   整理番号:87A0281950

GaAs上にヘテロエピタクシーで成長したInAs層の格子緩和

Lattice relaxation of InAs heteroepitaxy on GaAs.
著者 (4件):
資料名:
巻: 81  号: 1/4  ページ: 237-242  発行年: 1987年02月02日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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いろいろな配向をとったGaAs上に,分子ビームエピタクシーで...
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分類 (1件):
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半導体-半導体接触【’81~’92】 
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