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J-GLOBAL ID：200902024731619989   整理番号：93A0722477

Anomalous solid phase epitaxy near the compensation point in amorphous silicon with boron and phosphorus impurity profiles.

著者 (3件)： JEON Y-J (Univ. Texas, TX, USA) ,  BECKER M F (Univ. Texas, TX, USA) ,  WALSER R M
資料名： Kinetics of Phase Transformations  (Kinetics of Phase Transformations)
ページ： 51-55  発行年： 1992年 
JST資料番号： K19930408  ISBN： 1-55899-097-6  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)