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J-GLOBAL ID：200902024804773043   整理番号：91A0714148

分光器による電荷ポンピング MOSトランジスタの界面トラップ分布を測定するための新方法

Spectroscopic Charge Pumping: A New Procedure for Measuring Interface Trap Distributions on MOS Transistors.

著者 (4件)： VAN DEN BOSCH G (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN G V (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  HEREMANS P (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  MAES H E (IMEC vzw, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 38  号： 8  ページ： 1820-1831  発行年： 1991年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良く知られている電荷ポンピング技術の応用への新しいアプローチ...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： 電荷ポンピング

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分光器 ,  電荷ポンピング ,  MOSトランジスタ ,  界面トラップ ,  分布