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J-GLOBAL ID：200902026717041330   整理番号：82A0313518

1000V MOS-ICのプロセスとデバイス設計

Process and device design of a 1000-volt MOS IC.
著者 (2件)：
YAMAGUCHI T

YAMAGUCHI T について

(Tektronix Inc., OR)

Tektronix Inc., OR について

, 
MORIMOTO S

MORIMOTO S について

(Tektronix Inc., OR)

Tektronix Inc., OR について


資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 1981  ページ： 255-258  発行年： 1981年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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NMOS-LSI技術と適合するシリコンゲートアイソプレーナプ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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論理回路

論理回路 について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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モノリシック集積回路

モノリシック集積回路 について

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分類 (2件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

,  論理回路 
(NC05070B)

論理回路 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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MOS

MOS について

, 
IC

IC について

, 
プロセス

プロセス について

, 
デバイス設計

デバイス設計 について


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