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J-GLOBAL ID：200902026770537348   整理番号：91A0813691

水素化アモルファスシリコン膜における水素放出特性とその膜質評価への応用

Hydrogen Evolution from Hydrogenated Amorphous Silicon Films and Its Application to the Characterization of Films.

著者 (4件)： 本間和明 (東京電機大 工) ,  安達久美 (東京電機大 工) ,  村山勇樹 (東京電機大 工) ,  本橋光也 (東京電機大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻： 74  号： 9  ページ： 673-681  発行年： 1991年09月 
JST資料番号： L0196A  ISSN： 0915-1907  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスシリコン膜(a-Si:H膜)における水素放...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化アモルファスシリコン ,  水素放出 ,  膜質 ,  評価 ,  応用