文献

J-GLOBAL ID：200902027277866339   整理番号：91A0678724

低傾角(0001)6H-SiCウエハ上への3C-SiCと6H-SiC膜の制御成長

Controlled growth of 3C-SiC and 6H-SiC films on low-tilt-angle vicinal (0001) 6H-SiC wafers.

著者 (9件)： POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  PETIT J B (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  EDGAR J H (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  JENKINS I G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  YANG J W (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  CHOYKE W J (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  CLEMEN L (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YOGANATHAN M (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 59  号： 3  ページ： 333-335  発行年： 1991年07月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長前の表面処理を適当に行うと,0.1°もの小さい傾斜(00...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0678724&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 傾角 ,  6H-SiC ,  ウエハ ,  3C-SiC ,  成長