低キャリア密度のけい素中のAuger再結合

YABLONOVITCH E; GMITTER T

文献

J-GLOBAL ID：200902027602663075 整理番号：86A0532546

低キャリア密度のけい素中のAuger再結合

Auger recombination in silicon at low carrier densities.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=86A0532546&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0532546&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 49 号： 10 ページ： 587-589 発行年： 1986年09月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

表面再結合を実質的に除去できるような単純な化学処理法を見いだ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0532546&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体と絶縁体の電気伝導一般

, ,

前のページに戻る