文献
J-GLOBAL ID:200902028789969535
整理番号:92A0074199
TEMモアレ法によるGe/Si(111)成長島の格子欠陥観察
Defect Obsevations of Ge Islands Grown on Si(111) by TEM Moire Method.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0074199&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}