文献

J-GLOBAL ID：200902029268035613   整理番号：87A0402088

(AlAs)_m(GaAs)_n極薄層超格子における電子-格子相互作用の基本的に新しい側面

A fundamentally new aspect of electron-phonon interaction in (AlAs)_m(GaAs)_n ultrathin-layer superlattices.

著者 (4件)： ISHIBASHI A (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  MORI Y (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  ITABASHI M (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  WATANABE N (Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名： 18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.2  (18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.2)
ページ： 1365-1368  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870208  ISBN： 9971-50-197-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ルミネセンスとRaman散乱実験により標記構造は準三次元電...

シソーラス用語： ヒ化アルミニウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0402088&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19870208") }}

分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlAs ,  GaAs ,  極 ,  薄層 ,  超格子 ,  電子-格子相互作用