シリコンおよび多結晶シリコン中の応力におよぼすりんのドーピングの効果

MURARKA S P; RETAJCZYK T F JR

文献

J-GLOBAL ID：200902031065717802 整理番号：84A0148461

シリコンおよび多結晶シリコン中の応力におよぼすりんのドーピングの効果

Effect of phosphorus doping on stress in silicon and polycrystalline silicon.

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資料名：
巻： 54 号： 4 ページ： 2069-2072 発行年： 1983年04月
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si基板上の熱酸化膜上に減圧気相成長法で多結晶シリコンを蒸着...

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固体の機械的性質一般

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