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J-GLOBAL ID：200902031187379967   整理番号：84A0108333

真性に近い超薄形基板を用いた新しいSOI CMOS設計

Novel SOI CMOS design using ultra thin near intrinsic substrate.

著者 (5件)： MALHI S D S (Texas Instruments Inc.) ,  LAM H W (Texas Instruments Inc.) ,  PINIZZOTTO R F (Texas Instruments Inc.) ,  HAMDI A H (North Texas State Univ.) ,  MCDANIEL F D (North Texas State Univ.)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1982  ページ： 107-110  発行年： 1982年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOI CMOSの新しい設計について,処理中にチャネルドーピ...

シソーラス用語： MOS集積回路 ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 超薄形 ,  SOI ,  CMOS ,  設計