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J-GLOBAL ID：200902031624842205   整理番号：87A0256838

シリコン結晶における相対論的電子からのパラメトリックX線の測定

Measurements of parametric X-rays from relativistic electrons in silicon crystals.

著者 (8件)： ADISHCHEV Y N (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN) ,  DIDENKO A N (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN) ,  MUN V V (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN) ,  PLESHKOV G A (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN) ,  POTYLITSIN A P (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN) ,  TOMCHAKOV V K (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN) ,  UGLOV S R (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN) ,  VOROBIEV S A (Tomsk Polytechnical Inst., Tomsk, SUN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 21  号： 1  ページ： 49-55  発行年： 1987年03月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200-900MeVの電子によりSi単結晶中に発生するパラメ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 電子・陽電子との相互作用一般  (BK16051U) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン結晶 ,  相対論的電子 ,  パラメトリックX線