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J-GLOBAL ID：200902032672161704   整理番号：88A0556967

77Kと300KにおけるサブミクロンSi n-MOSFETのモンテカルロシミュレーション

Monte-Carlo simulation of submicrometer Si n-MOSFET’s at 77 and 300K.

著者 (2件)： LAUX S E (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  FISCHETTI M V (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 9  号： 9  ページ： 467-469  発行年： 1988年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の様な超小型素子ではホットエレクトロン効果などが重要にな...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  Si ,  MOSFET ,  モンテカルロシミュレーション