荷電粒子による半導体の変換ドーピング レビュー

KOZLOVSKII V V; ZAKHARENKOV L F; SHUSTROV B A

文献

J-GLOBAL ID：200902033716416540 整理番号：92A0654283

荷電粒子による半導体の変換ドーピングレビュー

Transmutation doping of semiconductors by charged particles. (Review).

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資料名：
巻： 26 号： 1 ページ： 1-11 発行年： 1992年01月
JST資料番号： T0093A ISSN： 0038-5700 CODEN： SPSEAX 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

初めに荷電粒子による半導体の核反応の特性を述べた。特に核変換...

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半導体の格子欠陥

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