青発光ダイオードに対するSiC基板材料の単結晶成長

ZIEGLER G; LANIG P; THEIS D; WEYRICH C

文献

J-GLOBAL ID：200902035141229079 整理番号：83A0299623

青発光ダイオードに対するSiC基板材料の単結晶成長

Single crystal growth of SiC substrate material for blue light emitting diodes.

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資料名：
巻： 30 号： 4 ページ： 277-281 発行年： 1983年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

20mm直径24mm長までの6H-SiCインゴット単結晶の製...

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発光素子 , 半導体の結晶成長

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