文献

J-GLOBAL ID：200902035868248343   整理番号：82A0250394

すずをドープした酸化インジウム層の電気的性質と欠陥モデル

Electrical properties and defect model of tin-doped indium oxide layers.

著者 (2件)： FRANK G (Philips GmbH, Fed. Rep. Germany) ,  KOESTLIN H (Philips GmbH, Fed. Rep. Germany)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 27  号： 4  ページ： 197-206  発行年： 1982年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1~20at.%のすずの不純物濃度を有するIn<sub>2<...

シソーラス用語： 酸化インジウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=82A0250394&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0256C") }}

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： すず ,  ドープ ,  酸化インジウム ,  電気的性質 ,  欠陥 ,  モデル