文献
J-GLOBAL ID:200902035910151754 整理番号:85A0076485
光励起による半導体プロセス技術
Photochemical processing for semiconductor materials and devices.
出版者サイト
{{ this.onShowPLink() }}
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=85A0076485©=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=85A0076485&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0011A") }}
著者 (1件):
小長井誠
小長井誠 について
名寄せID(JGPN) 200901100547190834 ですべてを検索
「小長井誠」ですべてを検索
研究者情報を見る
(
東京工大工
)
東京工大工 について
名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「東京工大工」ですべてを検索
機関情報を見る
資料名:
電気学会誌 (電気学会雑誌)
電気学会誌 について
JST資料番号 F0011A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻:
104
号:
9
ページ:
806-809
発行年:
1984年09月
JST資料番号:
F0011A
ISSN:
1340-5551
CODEN:
DGZAAW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
光のもつエネルギーを利用して薄膜の形成やエッチングを行う工程...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体薄膜
半導体薄膜 について
「半導体薄膜」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,...
続きはJDreamIII(有料)にて
{{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=85A0076485&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0011A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般
(NC03030V)
固体デバイス製造技術一般 について
分類コード NC03030V で文献を検索
分類コード4桁 NC03 で文献を検索
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
光励起
光励起 について
「光励起」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
半導体プロセス
半導体プロセス について
「半導体プロセス」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM