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J-GLOBAL ID：200902035962837840   整理番号：87A0456194

赤外光起電力検出器のD_λ^*への空間電荷層及びバイアス電圧の効果

Effects of the space charge layer and the bias voltage on D_λ^* of infrared photovoltaic detectors.

著者 (2件)： ZHANG W (Suzhou Univ., CHN) ,  JIANG J (Shandong Univ., CHN)
資料名： Hongwai Yanjiu. A  (Hongwai Yanjiu. A)
巻： 5  号： 6  ページ： 460-464  発行年： 1986年12月 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 0258-7114  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 空間電荷層効果を考慮に入れ,空乏領域近似を用いてPN接合光起電力検出器に対してI-V特性及び検出度(D_λ^*)の解析式を導出。厚いベース領域を持つInSb光起電力検出器のD_λ^*へのバイアス電圧,光吸収係数,少数キャリアのバルク寿命および照射表面での再結合速度の効果を数値解析した

シソーラス用語： 赤外検出器 ,  光起電力 ,  空間電荷 ,  PN接合 ,  半導体検出器 ,  電流電圧特性 ,  アンチモン化インジウム ,  電圧 ,  光吸収 ,  少数キャリア ,  キャリア寿命 ,  再結合 ,  データ解析

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外光 ,  起電力 ,  検出器 ,  空間電荷層 ,  バイアス電圧