けい素とゲルマニウム表面における異常に低い表面再結合速度

YABLONOVITCH E; ALLARA D L; CHANG C C; GMITTER T; BRIGHT T B

文献

J-GLOBAL ID：200902037065367214 整理番号：86A0453482

けい素とゲルマニウム表面における異常に低い表面再結合速度

Unusually low surface-recombination velocity on silicon and germanium surfaces.

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資料名：
巻： 57 号： 2 ページ： 249-252 発行年： 1986年07月14日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

周知のSi表面処理方法である(1)表面酸化,(2)HFによる...

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表面の電子構造 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

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