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J-GLOBAL ID：200902038279292820   整理番号：90A0243481

電力半導体素子の高周波用としての性能指数

Power semiconductor device figure of merit for high-frequency applications.
著者 (1件)：
BALIGA B J

BALIGA B J について

(North Carolina State Univ., NC)

North Carolina State Univ., NC について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 10  号： 10  ページ： 455-457  発行年： 1989年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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Si電力素子は理論的性能の限界に急速に近づきつつあるので,将...
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MOSFET

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分類 (1件)：
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トランジスタ 
(NC03070N)

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高周波

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性能指数

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