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J-GLOBAL ID：200902038567178691   整理番号：90A0343425

低温動作用途のゲート/N^-重複LDD構造を有する,高性能,高信頼度2重ゲートCMOS

A high performance and highly reliable dual gate CMOS with gate/N^- overlapped LDD applicable to the cryogenic operation.

著者 (5件)： INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MITSUI K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUSUNOKI S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIMIZU M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUKAMOTO K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1989  ページ： 773-776  発行年： 1989年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2重ゲートCMOSを開発。N⁺ポリゲー...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...

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分類 (2件)： サイリスタ  (NC03060C) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低温 ,  用途 ,  ゲート ,  LDD構造 ,  高性能 ,  信頼度 ,  2重ゲート ,  CMOS