文献

J-GLOBAL ID：200902039107106257   整理番号：89A0390276

シリコンウエハの表面分析

Surface analysis of silicon wafer.

著者 (2件)： 藤野允克 (九州電子金属 半導体研セ) ,  角田成夫 (九州電子金属 半導体研セ)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 10  号： 3  ページ： 162-170  発行年： 1989年04月 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 表面上の金属不純物分析には,気相分解法が有効であり,この方法...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 金属,合金の物理分析  (CC03040V)

引用文献 (12件)：

• 1) 日経エレクトロニクス, 10-3,177 (1988).
• 2) “半導体・電子部品の精密洗浄システム技術集成” (リアライズ社, 1986) p.13.
• 3) A. Shimazaki, H. Hiratsuka, Y. Matsusita and S. Yoshii : Extended Abstract of the 16th Conference on Solid State Devices and Materials, 281 (1984).
• 4) 谷添泰子, 角田成夫, 佐野正和, 藤野允克, 白岩俊男 : 分析化学 (投稿中).
• 5) 下野次男 : 日本分析化学会第36年会講演要旨集 (1987) p.1058.

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコンウエハ ,  表面分析