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J-GLOBAL ID：200902040349003205   整理番号：92A0119098

GaNバッファ層を使うGaNの成長

GaN Growth Using GaN Buffer Layer.
著者 (1件)：
NAKAMURA S

NAKAMURA S について

(Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima)

Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 30  号： 10A  ページ： L1705-L1707  発行年： 1991年10月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
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標記方法で2インチのサファイア基板上に光学的に平滑な高品質の...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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GaN

GaN について

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バッファ層

バッファ層 について

, 
成長

成長 について


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