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J-GLOBAL ID：200902040940573991   整理番号：90A0487351

Si(100)上のGeの転位のないStranski-Krastanov成長

Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100).

著者 (2件)： EAGLESHAM D J (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  CERULLO M (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 64  号： 16  ページ： 1943-1946  発行年： 1990年04月16日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)上におけるGeのStranski-Krasta...

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： 臨界膜厚

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  Ge ,  転位 ,  Stranski-Krastanov成長