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J-GLOBAL ID:200902040940573991   整理番号:90A0487351

Si(100)上のGeの転位のないStranski-Krastanov成長

Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100).
著者 (2件):
資料名:
巻: 64  号: 16  ページ: 1943-1946  発行年: 1990年04月16日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Si(100)上におけるGeのStranski-Krasta...
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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