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J-GLOBAL ID：200902041025622707   整理番号：91A0557571

ニューロン・シリコン接合 絶縁ゲート電界効果型トランジスタ上ヒルのRetziusセル

A Neuron-Silicon Junction: A Retzius Cell of the Leech on an Insulated-Gate Field-Effect Transistor.

著者 (4件)： FROMHERZ P (Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU) ,  OFFENHAUSSER A (Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU) ,  VETTER T (Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU) ,  WEIS J (Univ. Ulm, Ulm-Eselsberg, DEU)
資料名： Science  (Science)
巻： 252  号： 5010  ページ： 1290-1293  発行年： 1991年05月31日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒルのニューロン,Retziusセルを,p-チャネル電界効果...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： ノイロン

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分類 (1件)： 脳・神経系モデル  (EL02050C)

タイトルに関連する用語 (7件)： ニューロン ,  シリコン ,  絶縁 ,  ゲート ,  電界効果型トランジスタ ,  ヒル ,  セル