文献
J-GLOBAL ID：200902041297578537   整理番号：84A0333617

Schottky障壁の高さと連続的ギャップ状態

Schottky barrier heights and the continuum of gap states.
著者 (1件)：
TERSOFF J

TERSOFF J について

(AT&T, New Jersey)

AT&T, New Jersey について


資料名：
Physical Review Letters  (Physical Review Letters)

Physical Review Letters について


巻： 52  号： 6  ページ： 465-468  発行年： 1984年02月06日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
局所電荷中性の物理的考察から,金属誘起ギャップ状態による半導...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Schottky障壁

Schottky障壁 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
禁止帯

禁止帯 について


   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0333617&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0070A") }}
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体-金属接触【’81~’92】 
(BM03073E)

半導体-金属接触【’81~’92】 について

,  表面の電子構造 
(BM02080J)

表面の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
Schottky障壁

Schottky障壁 について

, 
ギャップ

ギャップ について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM