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J-GLOBAL ID：200902042726593414   整理番号：92A0082421

高エネルギー(MeV)イオン注入技術

High energy (MeV) ion injection technology.
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著者 (4件)：
塚本克博

塚本克博 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について

, 
小森重樹

小森重樹 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について

, 
黒井隆

黒井隆 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について

, 
赤坂洋一

赤坂洋一 について

(三菱電機 LSI研)

三菱電機 LSI研 について


資料名：
半導体研究

半導体研究 について


巻： 32  ページ： 63-98  発行年： 1990年08月 
JST資料番号： X0816A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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まず標記イオン注入機の動作原理として静電加速器,RF線型加速...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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LSI【IC】

LSI【IC】 について

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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
高エネルギー

高エネルギー について

, 
イオン注入

イオン注入 について


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