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J-GLOBAL ID：200902043403337334   整理番号：87A0202499

予備焼成およびエピタキシャル析出中のドーパント再分布

Dopant redistribution during prebake and epitaxial deposition.
著者 (1件)：
LEE H H

LEE H H について

(Univ. Florida, FL, USA)

Univ. Florida, FL, USA について


資料名：
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

Journal of the Electrochemical Society について


巻： 133  号： 11  ページ： 2416-2423  発行年： 1986年11月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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予備焼成終期のドーパントプロフィルを,拡散域(埋込層)および...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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半導体素子

半導体素子 について

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模型

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

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タイトルに関連する用語
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焼成

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エピタキシャル

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, 
析出

析出 について

, 
ドーパント

ドーパント について

, 
再分布

再分布 について


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