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J-GLOBAL ID：200902043624871360   整理番号：86A0477280

Si(100)上のGaSb/AlSb光デバイス層の分子ビームエピタキシー

Molecular-beam epitaxy of GaSb/AlSb optical device layers on Si(100)

著者 (5件)： MALIK R J (AT&T, New Jersey) ,  VAN DER ZIEL J P (AT&T, New Jersey) ,  LEVINE B F (AT&T, New Jersey) ,  BETHEA C G (AT&T, New Jersey) ,  WALKER J (AT&T, New Jersey)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 11  ページ： 3909-3911  発行年： 1986年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタキシーにより,初めてSi(100)上にGaS...

シソーラス用語： アンチモン化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  GaSb ,  光デバイス ,  分子ビームエピタキシー