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J-GLOBAL ID：200902045167781506   整理番号：86A0165751

横方向ドーピング変化法 プレーナ接合の高電圧破壊を避けるための新しい概念

Variation of lateral doping - A new concept to avoid high voltage breakdown of planar junctions.

著者 (2件)： STENGL R (Siemens, FRG) ,  GOESELE U (Siemens, FRG)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1985  ページ： 154-157  発行年： 1985年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物マスクに並べて開けた径を少しずつ変えた小さな窓を通して...

シソーラス用語： プレーナ構造 ,...
準シソーラス用語： 傾斜接合

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 横方向 ,  ドーピング ,  プレーナ ,  高電圧 ,  破壊 ,  概念