文献

J-GLOBAL ID：200902045809938242   整理番号：86A0421058

荷電-温度法にもとづく負の等価界面トラップ密度から得られるMOSコンデンサの横不均一性の直接的証拠

Direct indication of lateral nonuniformities of MOS capacitors from the negative equivalent interface trap density based on charge-temperature technique.

著者 (2件)： HWU J G (National Taiwan Univ.) ,  WANG W S (National Taiwan Univ.)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 40  号： 1  ページ： 41-46  発行年： 1986年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の方法で,660Å厚酸化層の特性を調べた。正荷電-温度経...

シソーラス用語： 表面準位 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0421058&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0256C") }}

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 荷電 ,  等価 ,  界面トラップ ,  密度 ,  MOSコンデンサ ,  不均一性 ,  証拠